技术编号:8125929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及化合物半导体热处理工艺与设备以及利用该工艺进行热处理的化合物半导体,详细讲,涉及II-VI族化合物半导体(用周期表的族表示)热处理工艺与设备以及利用该工艺进热处理的II-VI族化合物半导体。近年来,已经见到利用新颖的概念来开发生产白光LED的技术,其中,白光是通过混合由在ZnSe基片上形成的活性层发出的短波光与由受活性层的发光激活的ZnSe基片本身发出的长波光而获得的。对于白光LED的情况,要利用基片本身光辐射就必须使用ZnSe基片。结果,就用单晶体ZnSe基片作为发光器件的基片。为简化器件结构以...
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