技术编号：8126662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明描述了一种生产大碳化硅(SiC)晶锭的方法。该方法能够进行设计而生产 多晶SiC，或任何多晶类型的晶体SiC。背景技术晶体碳化硅是适用于碳化硅器件制作的半导体材料，这种碳化硅器件相比于传统 半导体晶体材料如硅和砷化镓，能够在更高功率和更高温度下工作。块状晶体SiC是很难生长的材料，因为生长工艺过程需要极度高温(1900至 2500°C )。生长块状晶体SiC最常见的方法是升华。在商业用途上块状晶体SiC生长的基准技术(benchmark art)是Davis 等的美国专利RE34，861的技术，其中描...
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