技术编号:8126723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于热解法制备无机材料技术领域,具体涉及一种低织构的PBN薄壁容器及其制备方法。'背景技术.h-BN(六方氮化硼)具有类石墨的六方层状结构,具有高纯度、耐高等优异的特点,且与大部分熔体不浸润,作为熔体的容器,在半导体单晶生长、有色金属冶炼等领域具有重要应用,特别在半导体单晶生长领域普遍采用热解法生产的h-BN坩埚作为GaAs等单晶生长的容器。热能氮化硼(PBN)通过化学气相沉积原理,采用美国专利US3152006所公开的方法形成,将该专利公开内容引入本文作为参考。该方法包括将合适比例的氨和气态卤化硼例...
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