技术编号：8127727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体硅材料领域，尤其涉及太阳能电池用镓和锗共掺的 直拉硅单晶。背景才支术太阳能是取之不尽的清洁能源，利用半导体材料的光电转换特性，制 备成太阳能电池，可以将太阳能转变成电能。直拉硅单晶是生产太阳能电池的主要材料之一。传统太阳能技术中， 掺硼直拉硅单晶被广泛地应用于太阳电池的制备。但是，由于掺硼直拉珪 单晶中的替位硼原子和单晶硅中间隙态的氧原子在光照下或载流子注入 下会形成硼氧复合体，而硼氧复合体是深能级复合中心，会降低少数载流 子的寿命，从而降低少数载流子的扩散长度，导致光电转换效率衰减(该 现...
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