技术编号：8128027
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及多晶硅真空提纯领域，尤其涉及一种用于多晶硅真空区熔 提纯的加热线圏。背景技术区域熔炼，简称区熔，指根据液体混合物在冷凝结晶过程中组分重新分布(称为偏析)的原理，通过多次熔融和凝固，制备纯度可达99. 999 %的高纯度 的金属、半导体材料和有机化合物的一种提纯方法。区熔的典型方法是将被提 纯的材料制成长度为0. 5 3m或更长些的细棒，通过高频感应加热，使一小段固 体熔融成液态，熔融区液相温度仅比固体材料的熔点高几度，稍加冷却就会析 出固相。熔融区沿轴向緩慢移动，每小时几至十几厘米。随着熔融区...
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