技术编号：8128362
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种光学测量方法，尤指一种用于在砷化镓单晶生长时测量其直径的光学测量方法。背景技术 砷化镓单晶生长采用液封直拉法(LEC法)，如图1所示，在晶体生长的炉室01内，砷化镓熔体07由氧化硼液体06液封，籽晶08置于旋转机构03的下端，在旋转机构的拉动下生长成砷化镓晶体05。目前，广泛采用的测量砷化镓单晶生长直径的方法为称重法，所用的称重装置采用高精度称重头04，如图1所示。该高精度称重头04设置在旋转机构03上。称重头测量出晶体重量的变化，减去浮力后，可以得到真实的晶体重量变化，由于旋转机构的拉速已知...
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