技术编号:8128834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及晶体生长领域,尤指一种。背景技术现在砷化镓或锗单晶的生长技术多采用传统VGF(垂直梯度凝固法),传统VGF通 常采用PBN(热解氮化硼)坩埚作为反应容器,将多晶料放入PBN(热解氮化硼)坩埚内,通 过在各时间段一定温度及压力控制下使多晶料在PBN(热解氮化硼)坩埚内生长,由于砷化 镓或锗晶体均不与PBN浸润,直接合成时,由于坩埚的不平整,使其内表面形成新的成核中 心,导致生成的砷化镓或锗单晶率下降. 为解决单晶率问题,现在普遍采用B203作为覆盖剂和浸润剂,使得PBN, B203和砷 化镓或锗晶体...
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