技术编号:8128923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置。背景技术 目前常规的物理气相传输生长碳化硅单晶的方法中,碳化硅料源与籽晶置于同一个密闭坩埚的上下两端,其间留有一定的间隙。一般的情形是料源放在坩埚底部,籽晶置于埚盖内表面上,埚与盖固定装配好之后放进具有适当温场分布的炉中生长,参阅美国专利US6,261,363B1以及《无机材料学报》2002年7月第17卷第4期685-690页。在生长过程中,坩埚(包括埚与盖)是一个整体,其中的碳化硅料源与籽晶之间没有人为可控的相对运动。这样,随着晶体不断长厚,料面与晶...
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