技术编号:8129948
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种多晶硅锭的铸造方法,特别是。背景技术现有技术中的多晶娃淀的铸造方法主要有1.类单晶技术为了提高多晶硅锭的质量,铸锭厂家开发了类单晶技术。公开资料显示,类单晶技术在2006年由BPSolar研制成功,随后国内晶澳、LDK、韩华新能源、凤凰光伏等厂家相继发布其类单晶研究进展。该技术采用IOmm 20mm厚的单晶作为籽晶,将单晶置于喷好氮化硅涂层的石英坩埚底部,然后再装硅料。化料时通过调整工艺参数,控制化料结束时固液界面在单晶籽晶处,并使单晶融化掉一部分,剩余未融化的一部分单晶作为籽晶, 从籽晶处开...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。