技术编号：8132516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种制备硅晶体的装置，尤其涉及一种带有提升和旋转机构的拉 晶炉。背景技术硅晶体是半导体行业和太阳能行业最常使用的材料。生产这种材料最常用的方法 是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)。行业内又称为拉晶法或提拉法。丘克劳斯 基法制备硅晶体的设备称为拉晶炉。如图1所示，该设备由副室1、炉体2、隔离阀7和籽晶 提拉机构等组成。其中在炉体2内装有石墨热场。石墨热场通常由坩埚4、加热器5等组 成。在晶体生长时，由籽晶提拉机构控制籽晶的升降和旋转，使籽晶与坩埚4内熔化后的硅 料相接触，通过...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。