技术编号：8134443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种使用化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法， 属于晶体材料领域。背景技术ZnO是一种具有半导体、发光、压电、电光等应用的多功能晶体 材料。室温下其禁带宽度为3.4eV，对应紫外光的发射，可以开发短 波长光电器件，如紫外发光二极管(UV-LED)和紫外半导体激光器 (UV-LD)。 ZnO基LED由于其激子束缚能高达60meV (GaN仅为21meV)， 具有更高的发光效率，预计亮度为GaN基的数倍，成本仅为GaN基的 1/10。此外，相比较于当前产业化的GaN基LED的衬底材料，ZnO晶片 在性...
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