技术编号：8135830
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅的新制造方法。更具体而言，涉及在借助三氯氢硅(trichlorosilane，简称TCS)与氢的反应制硅的方法中，对硅析出反应生成的四氯化硅(tetrachlorosilaneg下文简称STC)实施一种工业上可行的、极其有利的处理方法。背景技术以TCS为原料的高纯度硅，可借助TCS与氢反应来制造。工业上已知的西门子法是把硅棒表面加热，把TCS和氢一起向其供给，使硅在棒上析出，制得成长的多晶硅棒。上述析出反应，为了稳定地析出硅，通常在900～1250℃，实际上在900～1,150℃的温度下进行，伴...
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