技术编号：8136127
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及半导体技术领域，特别是采用VB技术(垂直Bridgman技术)或 VGF(垂直梯度凝固)技术生长具有挥发性组元的单晶时，并使用包覆剂的情况下，将坩埚 与晶体分离的方法。背景技术在使用昂贵的氮化硼坩埚生长晶体时，为保证坩埚的重复利用，延长坩埚使用寿 命，需采用特殊的脱埚方法，来保护晶体和坩埚在分离过程中不受损伤。在专利CN 100387759C中，通过热脱埚和超声甲醇冷脱埚相结合的手段进行晶体 和氮化硼坩埚的分离，在此专利中虽然采取了加热的方法让B2O3包覆剂在重力作用下熔化 流出，但由于未采用...
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