技术编号：8136178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及III族氮化物半导体器件、外延衬底及III族氮化物半导体器件的制作方法。背景技术在专利文献1中，记载了具有与氧浓度成比例的η型载流子的η型GaN。在原料气 体中包含氧，使GaN在GaAs衬底上外延生长。除去GaAs衬底，得到GaN自支撑膜。在专利文献2中，记载了生长氮化镓单晶的方法。根据该方法，可以将氧作为η型 掺杂剂混入。在专利文献3中，记载了 GaN基化合物半导体的制造方法。在填充容器内以至少 一部分为液体的方式填充GaN基化合物半导体制造用氨。该液相的氨中的水分浓度用傅立 叶变换红外分光法(...
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