技术编号:8136302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明为有关半导体用单晶硅锭的拉晶使用的高纯度石英玻璃坩埚,特别是关于 一种具有高强度能够防止发生变形或偏斜的高纯度石英玻璃坩埚(以下简称石英坩埚), 在拉晶中可减低混入大粒径单晶硅锭(以下简称单晶锭)中之硅熔液中的SiO气体,因而 能大量降低上述单晶锭的由上述SiO气体引起的针孔缺陷。背景技术在现有技术中,一般已知有如图4(a)、图4(b)的概略纵断面图所示,以平均粒径 200 300 μ m,纯度99. 99%以上的高纯度石英玻璃粉末为原料粉,用该粉末充填石墨模型 内面与中心部外面所形成的间隙,例如30...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。