技术编号:8136535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在低度偏轴碳化硅基片上的外延生长及利用其制造的半导体器件本说明书中所使用的章节标题仅出于组织目的,不应认为其以任何方式限制本文 所述主题。技术领域本申请主要涉及在单晶SiC基片上外延生长SiC层的方法和使用这些方法制造的 半导体器件。背景技术碳化硅具有使其成为适于应用的优异的半导体材料的性质,所述应用涉及高温、 大功率、高辐射和/或高频率。有助于这些高级性能的性质为其较大的带隙、优异的物理稳 定性、高导热性、高击穿场强和高饱和电子漂移速度。由SiC制造的半导体器件能够在高于 600°C的温度工作。SiC出现在称作多...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。