技术编号：8136768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。使用不平衡的磁场和共转来控制生长硅晶体的熔体-固体界面形状背景技术通常根据所谓的卓克拉尔斯基(Czochralski)法制备单晶硅，单晶硅是用于制造 半导体电子部件的大多数工艺中的初始材料。在该工艺中，多晶硅被置入到坩埚并被熔化， 使籽晶与熔化的硅接触，并通过相对缓慢的抽拔生长单晶(本文还称为单晶体)锭。在完 成颈部形成之后，减小拉拔速率和/或熔化温度增大晶体的直径，直到达到希望的或目标 直径。然后，通过控制拉拔速率和熔化温度同时补偿降低的熔体平面(melt level)来生长 晶体的通常圆柱形的主体(具有近似恒定...
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