技术编号：8136966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及衬底、提供有外延层的衬底及其制造方法，更具体来讲，涉及的容许简 化处理步骤和成本降低的衬底、提供有外延层的衬底及其制造方法。背景技术通常地，已知诸如GaN的化合物半导体。已知使用线状锯来制造这种化合物 半导体的衬底的方法(例如，参见日本专利No.观42307(专利文献1)和日本专利特开 No. 2006-190909(专利文献2))。通过使用这种线状锯进行切割而获得的衬底的表面具有 受损层。由此，衬底的主表面(切割表面)被蚀刻、磨削、抛光和机械-化学抛光。另外，为了改进衬底主表面上生长和形成的外延...
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