技术编号：8137081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及位错等的晶体缺陷少、晶体品质高的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片。背景技术 碳化硅(SiC)是具有2. 2 3. 3eV的宽禁带宽度的宽带隙半导体。以往，SiC因其优异的物理、化学特性而作为耐环境性半导体材料被进行研究开发，但近年来，SiC作为面向从蓝色到紫外的短波长光器件、高频电子器件、高耐压-高输出电子器件的材料受到关注，正在活跃地进行研究开发。但是，迄今为止，SiC难以制造优质的大口径单晶，这妨碍了 SiC器件的实用化。以往，在研究室程度的规模下，利用例如升华再结晶法(Lely法)获得了可进行半...
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