技术编号：8137125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及利用外延生长的碳化硅单晶的薄膜(SiC单晶膜)的制造方法和装置。 更具体而言，本发明尤其涉及能够使氮供体掺杂浓度降低了的高纯度SiC单晶外延膜在直径2英寸以上的单晶基板(例如SiC晶片)上稳定生长的、SiC单晶膜的制造方法和制造直O通过活用本发明的方法，可以实现晶体缺陷少的碳化硅单晶外延生长晶片、以及高可靠性 高生产率的碳化硅(SiC)半导体器件这样的SiC半导体制品。本发明也涉及这种制品。背景技术碳化硅(SiC)是热稳定和化学稳定的化合物半导体中的一种。与硅(Si)相比， SiC具有带隙高达约3...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。