技术编号:8137409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于形成例如半导体膜的成膜方法与成膜装置。 背景技术作为形成薄膜的方法,等离子体化学蒸镀沉积(CVD)已经被广泛地使用。等离子体CVD的示例具有很多种类的方法,例如电容性耦合CVD、电感性耦合CVD、微波CVD和 ECR-CVD。其中,已经最为广泛地使用的是电容性耦合CVD。电容性耦合CVD在一对平行板电极之间激发等离子体。因此,与其他方法相比,具有简单结构的电容性耦合CVD可沉积均勻的膜。电容性耦合CVD可形成各种薄膜,包括诸如硅基薄膜、SiC、GaAs和GaN膜的半导体膜,诸如SiNjn Si...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。