技术编号:8137763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是申请日为1998年4月9日、申请号为98806904.0、发明名称为“低缺陷浓度的硅”的专利申请的分案申请。背景技术本发明与用于电子元件制造的半导体级单晶硅的制备有关,特别涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅棒与晶片及其制备工艺。单晶硅是半导体电子元件大多数制造工艺的初始材料,通常用所谓提拉(“Cz”)方法制备。在该方法中,将多晶硅装入坩埚并使之熔化,再用一籽晶与熔融硅接触,并经缓慢提拉而生成单晶。形成轴颈之后,通过降低拉晶速度和/或熔烧温度而使晶体直径增大,直至达到所希望的目标直径为止。然后,通过控...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。