技术编号:8137764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是申请日为1998年4月9日、申请号为98805003.X、发明名称为“缺陷密度低,空位占优势的硅”的专利申请的分案申请。背景技术本发明一般涉及用来制造电子元件的半导体级单晶硅的制备。本发明具体涉及具有避免本征点缺陷附聚的空位占优势的轴对称区域的单晶硅毛坯和晶片,及其制备方法。大多数半导体电子元件制造方法中,作为原料的单晶硅通常用所谓的引上法(Czochralski,“Cz”法)制备,该方法中,将多晶硅(“多硅”)放入坩埚并熔化,让籽晶接触硅熔体并缓慢提拉生长单晶,完成收颈后,通过降低拉速和/或熔体温度使晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。