技术编号:8138394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及。 背景技术经外延涂覆的硅晶片适合于在半导体工业中应用,尤其适合于制造大规模集成的电子元件,如微处理器或存储芯片。在整体和局部平面度、厚度分布、参考单面的局部平面 度(纳米形貌)以及去除缺陷方面具有严格要求的起始材料(基材)对于现代微电子学而 言是必需的。整体平面度涉及半导体晶片减去待确定的边缘排除区域的整个表面。其是通过 对应于以前惯用的参数TTV( “总厚度变化”)的GBIR( “参考整个背面的理想平面/范围 (global backsurface-referenced idealplane/...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。