技术编号:8138681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域。 背景技术溴化亚铜是一种具有 优良的导电能力的导体、反常的反磁性能、不同寻常的光致发光半导体材料。广泛用于有机合成的催化、电池、气体传感器和激光器。溴化亚铜共具有 α、β、γ三种晶相,其中低温Y晶相的CuBr是闪锌矿结构。它是在温度低于385°C合成的立方结构的P型半导体材料,具有宽的直接能隙。它的空间群为F-43m属于立方晶系。 385-469度是具有纤维锌矿结构的β相。469-488 (熔点)是α相结构。三种晶相都是Cu+ 的导体。目前,有关CuB...
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