技术编号:8138951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及晶体硅的生长方法,具体是指一种η型晶体硅的方法。 背景技术晶体硅太阳电池(包括单晶和多晶)是光伏发电的主流产品,生产电池的硅片是 从多晶硅锭或单晶硅棒切片获得,所以硅片要求的电学性能必须在多晶铸锭或单晶棒的生 产过程中完成,通常在晶体硅生长过程中掺杂III族元素获得P型半导体,掺杂ν族元素获 得η型半导体,并且通过调节掺杂浓度使硅片的电阻率控制在0. 5 3 Ω · cm之间来满足 制备太阳电池的要求。作为硅的掺杂必须在硅的带隙中形成一个浅能级,并且具有固溶度 大、扩散系数小和蒸汽压低的特点。掺杂...
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