技术编号:8139305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本申请通常涉及半导体/光电工艺中使用的装置和系统。本申请也通常涉及半导 体/光电工艺中使用的方法。背景技术连续浇铸已长期被用于在冶金工业中制造铝和其他非铁金属的坯体。但是,近 来,该技术已被修改以便制造太阳能电池应用所需的硅(Si)带。更具体地,一些新兴硅 带技术,例如树状网(WEB)、定界覆膜生长(Ere)、条带(SR)、硅膜(SF)和在衬底上生长带 (RGS),已经商业化或正在开发。与诸如卓克拉尔斯基(CZ)或定向结晶系统(DSS)生长的传统晶体硅技术相比,硅 带技术淘汰了可消耗超过50%硅生长的传统的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。