技术编号:8139776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域,具体涉及一种镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉及其制备方法。背景技术2000年,人们在Lu2O3-SiO2 二元体系中发现除LS0Ce晶体之外的另一个化合物——铈掺杂焦硅酸镥(LPSCe)晶体也具有优异的闪烁性能。该晶体良好的闪烁性能 其光输出高(平均^300ph MeV—1),能量分辨率好(9%)和衰减时间短(38ns),更为重要的是,LPSiCe晶体没有余辉,即使在高温下(高于450K)仍然具有稳定的发光效率,因此 LPSiCe晶体特别适合在如核医学成像(PET)和油...
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