技术编号：8140683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体薄膜材料的制备技术，更具体地说，本发明提供一种在Si衬底 上外延生长GeSn合金的方法。背景技术Si是现代微电子技术的基础。Si微电子技术由于具有工艺成熟、价格便宜、源材 料丰富等优势，在现代电子信息社会中具有难以取代的地位。Si微电子技术发展到今天，已 经渗透国民经济、国家安全和人们日常生活中的方方面面，比如目前世界上90%以上的电 子器件和电路都是以Si为基础的。然而，微电子技术采用电子作为信息载体，具有其自身 的一些限制，难以满足未来信息化社会对信息传输容量、处理速度、存储能力以及灵活...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。