技术编号：8140756
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用以生长成型单晶氧化铝技术领域，具体为用以生长特厚大单晶氧化 铝片的导模结构。背景技术导模法生长LED衬底等用成型宝石片较提拉法、温梯法、泡生法具有能耗低、生产 效率高、成本低、应力分布合理的优点，更适宜GaN外延附生，具有质量好、合格率高的特 点。国内外导模法通常采用射频感应加热或石墨电阻加热，公开号为CN200981899的实用 新型公开了一种用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构，其加热器、坩埚为长方体形或两 端部为圆弧形状的长方条形，长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形中心轴两侧等距离 处温度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。