技术编号：8141466
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术，具体是涉及对单晶生长 炉中热系统的煅烧处理方法及其煅烧处理装置。背景技术硅单晶生长需要在洁净的状况下进行，单晶炉热系统中有许多器件是用石墨加工 而成，而石墨化炉是在石墨坯料上覆盖了大量的石墨焦炭来保护，进行高温处理，不通保护 气体，是在常压下进行，所以用这种石墨加工出来的器件含有大量的灰份，另外石墨材料由 于在加工及运输过程中的沾污及含有水份等，必须经高温彻底煅烧后才能适合晶体生长使用。通常煅烧处理都在单晶炉中进行，但由于单晶炉热系统中的加热器置于热系统中 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。