技术编号：8142020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及。背景技术ZnO是一种II-VI族化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3. 37eV,激子束缚能为 60meV，是制备室温和更高温度下的半导体激光器、紫外探测器、蓝紫光发光二极管等的理 想材料。ZnO —维纳米材料由于量子限域效应、表面效应、压电效应等所具有的优于体材料 的光学、电学和压电性能等已经成为当前光电信息研究领域的热点。在ZnO纳米线中进行 Sn的掺杂，让Sn替代Zn的位置，可以实现能带的调节和电学性能的改变，在制备短波长纳 米发光器件和纳米光电子器件等领域具有很...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。