技术编号:8142251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于制造没有点缺陷的高质量硅单晶锭的方法,特别涉及制造高质量硅单晶锭的方法,其中当通过Czochralski法(直拉法)生长硅单晶锭时,通过控制熔体的温度分布来控制生长缺陷。背景技术 为了生长出能够增加半导体器件产量的高质量硅单晶锭,传统技术控制了在结晶之后单晶锭的高温区域的温度分布。这是为了控制由于结晶后的冷却导致的收缩所引起的应力,或控制在结晶期间出现的点缺陷的移动。通常,通过直拉法制造硅单晶锭的方法是将多晶硅放在石英坩锅里,通过从加热器辐射的热将多晶硅熔融为硅熔体,并从硅熔体的表面生长硅单晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。