技术编号：8142552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及中子管结构的改进，尤其是公开了一种球面靶陶瓷中子管，同时还公 开了该中子管的制造方法，属于电子器件结构技术领域。背景技术目前，公知的陶瓷自成靶中子管是由铜头、储存器、上面罩、阳极筒、离子源罩、陶 瓷壳、加速筒、下面罩、靶构成。将阳极筒加上几千伏电压后，开启储存器低压电源，给储存 器加热，使储存器中的氘氚混合气体释出，在离子源中电离成氘氚离子，然后给加速筒加上 几万伏 十几万伏的负高压，将氘氚离子引出并加速轰击到靶上，产生HMev中子。但是， 在离资源的引出端，由于轴向磁场的不足，使离子束流不能充分...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。