技术编号:8143094
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体制造方法,尤其是。 背景技术SiGe是继Si和GaAs之后的又一重要的半导体材料,具有优于纯Si材料的良好特性,工艺和制程又可以与硅工艺兼容,SiGe异质结双极型晶体管(HBT)电性能几乎可达到 GaAs等化合物半导体制作同类器件的水平,其在RF(射频)尤其是超高频领域有广泛应用前景,而且其能与CMOS工艺集成,充分发挥CMOS工艺高集成度、低成本的优势,同时还能实现SiGe/Si HBT的高频性能和低噪声性能。锗因为禁带宽度较窄(约0.67eV,硅为1. 12eV),与硅结合后在基区形成加...
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