技术编号：8143617
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种氮化镓(GaN)基LED外延层生长的方法。 背景技术一般蓝、绿光的LED外延层生长采用MOCVD (金属有机化合物气相外延)系统，方法是在蓝宝石衬底上外延成长GaN单晶薄膜材料，分别通过掺硅(Si)或掺镁(Mg)元素得到N型或P型半导体材料，并且在有源层中通过调整铟镓的比例交替生长多量子阱结构来调整发光的波长，提高电光转换效率。在蓝宝石衬底上生长GaN，由于两种材料晶格失配大，为了消除生长过程中的各种缺陷，需要先在低温条件下生长一层薄的缓冲层，然后再生长几个微米厚度的非掺杂GaN 来提高晶体质...
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