技术编号：8144630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域，涉及等离子体化学气相沉 积高速生长金刚石单晶的方法。背景技术20世纪80年代以来，国际上开始利用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition-CVD)方法制备金刚石薄膜。该方法因其成本低、可大面积沉积多晶金刚石膜 等特点得到迅速发展，并在技术上已经成熟。但由于多晶膜中存在大量的晶界和缺陷， 无法满足金刚石在电子器件等方面的要求；而同质外延方法生长单晶金刚石的生长速率 又较低(一般小于5-10微米/小时)，生长厚度为毫米级的金刚石单晶膜需要连续生...
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