技术编号：8146694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及射频感性耦合等离子体源，采用一台射频放电电源同时产生等离子体和控制基片离子轰击能量，用于等离子体增强气相沉积、等离子体表面改性等。背景技术 低温等离子体包含离子、中性自由基化学活性成分，离子对固体表面的轰击作用改变、增强了表面的物理、化学过程，这种特性使低温等离子体在刻蚀、薄膜沉积、表面清洗、表面改性等方面得到了重要应用。射频感性耦合等离子体无需外磁场，装置结构简单，便于多元阵列线性放大，是一种优良的低气压高密度等离子体源。正因此，射频感性耦合等离子体源在深亚微米/纳米微电子集成电路芯片的等离子体...
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