技术编号:8151659
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及CFZ硅单晶的生产技术领域,特别涉及一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置。背景技术众所周知,几乎所有硅单晶都是采用直拉法或者区熔法生产。直拉法生产的硅单晶中的高氧含量(3 1018atm/cm3)所形成的氧的施主效应,由于其不稳定性和可逆性造成硅单晶在功率器件制造过程中的局限和困难。区熔法生产的硅单晶虽然能够降低氧含量, 但是其昂贵的生产成本限制了其在生产器件领域的广泛应用。专利号为CN1267751A的中国专利公开了一种生产硅单晶的直拉区熔法,即CFZ硅单晶。但是其只能采用中子辐照的...
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