技术编号：8152784
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于薄膜太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种采用化学水浴法制备硫化镉薄膜的沉积技术。背景技术太阳能是最有发展前景的可再生能源，取之不尽，用之不竭。近年来，太阳能电池技术发展迅速，其中CIGS、CdTe薄膜太阳能电池发展前景十分广阔。做为窗口层,硫化镉薄膜与吸收层薄膜共同构成p-n结，对薄膜太阳能电池性能改善起着十分重要的作用。硫化镉薄膜的制备方法很多，如物理气相沉积、喷涂热解法、电化学沉积、化学水浴法、磁控溅射法、近空间升华法等。其中，化学水浴法是目前制备硫化镉薄膜最常用的方法之一。其一般步骤为首先将...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。