技术编号：8152796
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及宽带隙半导体ZnO薄膜材料生长的设备及其生长工艺，特别是涉及一种低压条件工作的金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)设备及利用该设备生长ZnO薄膜材料的工艺方法。背景技术 氧化锌(ZnO)材料是继氮化镓(GaN)之后世界光电领域热点研究的又一种重要宽带隙半导体材料，其带隙和晶格常数与GaN非常接近，晶型相同，有相近的光电特性。而ZnO还具有更高的熔点和激子束缚能，激子增益更高，外延生长所需温度低、成本低，容易刻蚀而使后继加工工艺更方便等优于GaN的多种特性，显示出比GaN具有更大的发展潜力。ZnO薄...
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