技术编号：8154792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及单晶制造技术领域，特别涉及单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置。背景技术直拉单晶制造是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在高温负压的环境中加热融化形成液态硅料，使用籽晶插入液态硅料液面完成引晶、放肩、等径生长，最终生产出单晶硅棒。如附图1所示的在单晶炉里生长的单晶硅棒，在该生产过程中，需要液态多晶硅料的液面位置始终位于加热器的加热理想区不变，这样才能保证固体单晶硅棒与液态多晶硅料的固液交界面有合适的生长温度和单晶生长时液面的稳定。图1中，单晶硅棒的生长拉速Vj远远大于或小于液态多晶硅料液面的升速V...
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