技术编号：8154859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及单晶生长技术领域，尤其涉及。背景技术PrYLF为四方晶系白钨矿结构，YLF在强紫外光辐照下不会发生光损伤，掺入镨离子，可实现室温下激光跃迁，发射激光波长为607nm和640nm，目前国内采用坩埚下降法制取，通过电阻加热，熔化在坩埚内的混合原料，通过下种，缩颈，等径等操作，生长出一定方向的晶体，但是用坩埚下降法制取的PrYLF容易产生开裂，晶体生长完整性差、尺寸小，难以实现工业化生产。 发明内容本发明是为了克服背景技术所存在的不足之处，提出一种生长晶体完整性好，无气泡无包络物，晶体尺寸大，不易开裂，...
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