技术编号:8155030
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明专利属于人工晶体材料领域,是一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法。背景技术锗酸铋(Bi4Ge3O12,BG0)是一种闪烁晶体,无色透明。BGO的发光性质与它的晶体结构密切相关。BGO晶体属立方晶系,与天然矿物Bi4Si3O12闪秘矿型结构相同。每个晶胞中有4个Bi4Ge3O12分子。Bi3+由6个GeO4四面体包围,最邻近配位于畸变的氧八面体之中。最邻近的B1-O键长分别为O. 219和O. 267nm。Bi3+是一种次过渡族的满壳离子,具有6s2的电 子构型,自由Bi3+和在晶...
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