一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置的制作方法技术资料下载

技术编号:8158238

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技术领域一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置技术领域本实用新型涉及太阳能光伏材料制备领域,特别是涉及一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置。背景技术太阳能光伏发电是目前发展最快的可持续能源利用的形式之一,晶体硅太阳单晶硅或多晶硅电池是光伏发电的主流产品,生产电池的硅片是从单晶硅锭或多晶硅锭切片获得,所以硅片要求的电学性能必须在铸锭的生产过程中完成。对于晶体硅太阳能电池而言,其光电转换效率与硅片的电阻率有关。目前,晶体硅材料的电阻率一般控制在I 3Ω . Cm的范围内。如果电阻率过高(> 3Ω · cm) ,...
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