技术编号：8158383
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池制造设备，尤其是一种晶体硅太阳能电池气体动态扩散装置。背景技术在目前的晶硅的生产工艺中，扩散的方式有三种I、喷涂磷酸水溶液后链式扩散；2、丝网印刷磷浆后链式扩散；3、三氯氧磷气态扩散。其中三氯氧磷气态扩散是目前最为主要的扩散方式。扩散PN结质量的好坏很大程度上影响了多晶硅电池的转换效率，扩散的质量主要由方块电阻和少子寿命两个参数来表征。扩散的发展方向是高方块电阻，因为高阻·(80-120/sq)可以有效减少常规低阻(60Q/sq)电池的死层效应，提高少子寿命，增加短波的响应...
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