技术编号:8163726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及半导体行业中晶体硅铸造设备领域,具体涉及一种用于晶体硅铸锭炉的气体导流装置。背景技术晶体硅铸锭炉内有用于提供晶体硅生长所需热场的装置,可以提供晶体硅生长所需的高温温度区,该装置通常由耐高温材料制成,主要部件包括石墨加热器和碳纤维保温层,对石墨加热器输入电流生成焦尔热,加热放置在热场中央的坩埚,将坩埚内的硅原料熔化,碳纤维保温层保持高温,硅原料熔化后重新结晶生长晶体硅。坩埚通常为方形石英坩祸,目前市场上常用的尺寸有878_ (长)x878mm (宽)x480mm (高)、1040_ (长)xl0...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。