技术编号:8164163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种GaN外延基底和其制备方法以及一种氮化物半导体器件和其制备方法。背景技术 氮化镓(GaN)是发光器件的引人注目的基底材料。例如,日本专利申请公开第2001-102307号公开了GaN基底的形成。在这个GaN基底的形成中,用侧向生长方法在半导体单晶基底例如砷化镓(GaAs)基底上生长GaN厚层。然后从GaN厚层上除去GaAs基底,在那儿形成一个或多个GaN基底。在其上加工半导体器件之前,在这样的GaN基底上生长外延层以形成GaN外延基底。如日本专利申请公开第2000-340509号公布中公开的,...
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