技术编号:8164263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型属于单晶硅制造技术领域,涉及一种去除单晶硅埚底料中石英的装置。技术背景 目前,在处理直拉单晶硅埚底料时,使用氢氟酸在室温条件下浸泡去除埚底料粘附的石英,使其达到太阳能级硅单晶原料的纯度要求,从而有效利用这部分埚底料。现有技术条件下,在使用氢氟酸浸泡过程中,由于室温温度过低,氢氟酸与埚底料反应速度过慢,反应周期长,工作效率低,且反应时间过长易发生副反应,埚底料的回收质量差。发明内容本实用新型的目的是提供一种去除单晶硅埚底料中石英的装置,解决了现有技术中存在的氢氟酸与埚底料中石英在室温下反应速度慢、周...
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