技术编号:8164851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体 地说是涉及一种三碲化ニ铋结晶的装置,也就是ー种半导体真空加热管。背景技术现有技术中,半导体真空加热管使用的是一端开孔的,将半导体原料放置其中,抽真空封闭死,这样的真空管具有封闭时费劲、浪费燃料、封闭效果欠佳的缺点。发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供ー种封闭简单、效果好、节省原材料的半导体真空加热管。本实用新型的技术方案是这样实现的一种半导体真空加热管,其特征是它包括一管和ニ管,一管和ニ管都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管,在一管和ニ管的开ロ处具有相互啮合的结构。...
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